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通过优化栅极设计和工艺，与具有相同漏源电压额定值的Toshiba当前一代DTMOSIV-H系列产品相比，600V DTMOSVI系列产品单位面积漏源导通电阻降低约13%，MOSFET性能品质因数漏源导通电阻×栅漏电荷约降低52%，从而确保该系列同时实现低导通损耗和低开关损耗，有助于提高开关电源的效率。
新产品采用TOLL封装，可实现其栅极驱动的信号源端子开尔文连接。封装中源极线中电感的影响得以降低，从而增强MOSFET的高速开关性能，抑制开关期间的振荡。
Toshiba将继续扩大其600V DTMOSVI系列产品阵容，及其已经发布的650V DTMOSVI系列产品，并通过降低开关电源的功率损耗来支持节能。
注：
[1] 截至2023年6月。
应用
· 数据中心（服务器用开关电源等）
· 光伏发电机功率调节器
· 不间断电源系统
特点
· 实现低漏源导通电阻×栅漏电荷，并实现高效率开关电源
| 主要规格 | ||||
| （如无其他规定，Ta=25°C） | ||||
| 部件号 | TK055U60Z1 | |||
| 绝对最大 额定值 | 漏源电压VDSS (V) | 600 | ||
| 漏极电流(DC) ID (A) | 40 | |||
| 沟道温度Tch (°C) | 150 | |||
| 电气特性 | 漏源导通电阻 RDS(ON) (mΩ) | VGS=10V | 最大 | 55 |
| 总栅极电荷Qg (nC) | 典型 | 65 | ||
| 栅极漏极电荷Qgd (nC) | 典型 | 15 | ||
| 输入电容Ciss (pF) | 典型 | 3680 | ||
| 封装 | 名称 | TOLL | ||
| 尺寸(mm) | 典型 | 9.9×11.68, t=2.3 | ||
| 样品检查和供应情况 | 在线购买 | |||
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Toshiba：DTMOSVI系列的600V N沟道功率MOSFET TK055U60Z1。（图示：美国商业资讯）
